북마크 목록

• 제1장 연구개발과제의 개요
• 제2장 국내외 기술개발 현황
• 제3장 연구개발수행 내용 및 결과
• 제1절 최종목표
• 제2절 세부연구목표 및 연구내용
• 제3절 연구성과
• 제4절 상세한 연구내용 및 결과
• 4.1 수직결합 반도체 인공분자구조 성장 및 형상제어
• 4.2 반도체 인공분자구조의 형상 제어 및 특성 분석
• 4.3 반도체 인공분자구조의 성장 메카니즘 및 carrier dynamics 연구
• 4.4 반도체 인공분자구조의 전기적 특성 연구
• 4.5 양자점 Aspect Ratio에 따른 에너지준위 시뮬레이션
• 4.6 Micro-PL을 이용한 이중 양자점 구조의 간섭성 평가
• 4.7 반도체 인공분자의 수평결합 및 커플링 연구
• 4.8 양자점에서의 Quantum confined stark effect 연구
• 4.9 InGaAs dots-in-a-well 구조에서의 어닐링(annealing) 효과 연구
• 4.10 결합된 양자점의 전자 상태에 대한 수치적인 계산
• 4.11 양자점 구조와 금속탐침 장치를 이용한 3차원 인공분자구조 형성기술 연구
• 4.12 금속 탐침 장치와 InAs/GaAs 양자점 구조로 구성된 인공분자구조의 물리적 특징
• 4.13 양자점 분자체의 커플링에 대한 연구
• 4.14 양자점과 2D 채널간의 커플링을 응용한 전자소자 설계 및 제작
• 4.15 양자점 전자 상태 변환에 대한 연구
• 제4장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도
• 제5장 연구개발결과의 활용계획
• 제6장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보
• 제7장 참고문헌
• 첨부: 위탁과제 보고서